Что нового

Анализ S.M.A.R.T. eMMC

Статус
Закрыто для дальнейших ответов.

Layder

Z3X-Team
.
27/8/06
2 262
619
для eMMC стандарта 5.0 и выше (Extended CSD rev: 1.7 (MMC 5.0, MMC 5.01)), и для микросхем Sandisk выводится S.M.A.R.T Report ...

Код:
купить чтобы получить доступ к скрытому контенту.

Цифры показывают степень износа ячеек Flash памяти.

Расшифровка данных показана в таблице:

4dfac59d49c638e44c7c574c67fa566e.png


Поэтому износ выше 100% отображается как:

Warning: Health report is very BAD
Device Life Time Estimation (MLC) [269]: 0x0B Exceeded its maximum estimated device life time
"

Если степень износа выше 60-70%, то предупреждение автоматически выводится при "Check eMMC".

Для микросхем Sandisk стандарта ниже MMC 5.0 используется другой Report. Он менее точный, потому что встречались часто микросхемы с износом в 40%, которые сыпались через неделю работы в устройстве. Поэтому для старых Sandisk предупреждение выводится при более низком износе ячеек памяти.
 
Последнее редактирование:

Layder

Z3X-Team
.
27/8/06
2 262
619
S.M.A.R.T Report для ранних версий микросхем Samsung имеет такой вид
Код:
купить чтобы получить доступ к скрытому контенту.

Нужно обратить внимание на выделенные строки и цифры.

Цифры - среднее и максимально кол-во циклов записи дли SLC и MLC ячеек памяти.
Какие основные ячейки памяти используются в микросхеме Flash - те, у которых больше циклов. Т.е. данная микросхема основана на SLC памяти.

Дальше мы смотрим что цифры средний износ и максимальный примерно одинаковы - значит ячейки изнашивались более менее равномерно.

Теперь самое основное:

SLC память рассчитана на 100тыс циклов записи
MLC память рассчитана на 3-5тыс циклов записи

в этом примере можно сделать вывод, что износ данной микросхемы в районе 40-50%

Еще можно обратить внимание на строки:
Total Number of banks: 0x1 в данной микросхеме 1 банк памяти
Initial bad blocks per bank: 3,0,0,0 - 3 BAD блока в 1 банке с завода.
Runtime bad blocks per bank: 0,0,0,0 - 0 BAD блоков образовалось в процессе работы
Reserved blocks left per bank : 23,0,0,0, - 23 блока резерва для BAD блоков для 1-го банка памяти.

Если будет ситуация, когда Runtime блоков много, а Reserved - уже мало, то это значит, что скоро Flash упадет в "Read only" (когда Reserved станет равным 0)

Еще нужно добавить, что прошивка firmware Flash памяти сбрасывает S.M.A.R.T в 0, тем самым искажает реальный износ памяти.

Кто желает немного больше узнать о износе Flash памяти, можете почитать тут:
купить чтобы получить доступ к скрытому контенту.
 
Последнее редактирование:

Layder

Z3X-Team
.
27/8/06
2 262
619
Добавлю немного информации для SMART eMMC 5.0 и новее:

Код:
купить чтобы получить доступ к скрытому контенту.

Строка Pre EOL (EOL - End Of Limit) показывает, насколько микросхема использует резервные блоки для замены испорченных в процессе эксплуатации:

Код:
купить чтобы получить доступ к скрытому контенту.

Микросхему с Pre EOL information [267]: 0x03 Urgent не рекомендуется использовать
 
Статус
Закрыто для дальнейших ответов.

Кто читал эту тему (всего: 730) Детально

Верх Низ