Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 192 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P