- #1
Автор Темы
Добрый день.
ремонтирую себе карту Palit GTX770 3GB. Дефект с которым купил "не включается". Сначала была проблема с пробитой фазой по питанию ГПУ.(точнее 3я микросхема)
Стоят микросхемы: Renesas 20658B (Datasheet )
На которую заменил: Sic780 (Datasheet )
Одну микросхему требуется отразить по горизонтали и развернуть т.к. производители "смотрят" на нее с разных сторон.
После замены появляется генерация на всех 8 дросселях но на 3-ем и 4-ом генерация отличается. Если на остальных форма сигнала совпадает и можно сказать что происходит смещение сигнала от фазы к фазе, то на 3-ем дросселе творится черт знает что. Сигнал очень слабый и более высокочастотный чем на "живых" микросхемах Renesas 20658B. На 4-ом дросселе сигнал почти такой же как на остальных, только добавлен еще один всплеск в него.
Карта не стартует, но чип греется (сопротивление чипа 4.7 Ом)
Вопрос: по какой причине может так сильно меняться форма сигнала если вся обработка этого сигнала происходит внутри микросхемы каждой их фаз?
Второй вопрос: Почему на 4-ой микросхеме имеется дополнительный всплеск? Является ли это показателем что ее тоже надо заменить?
фотографии прикладываю ниже. Синим отмечено место замера сигнала.
ремонтирую себе карту Palit GTX770 3GB. Дефект с которым купил "не включается". Сначала была проблема с пробитой фазой по питанию ГПУ.(точнее 3я микросхема)
Стоят микросхемы: Renesas 20658B (Datasheet )
На которую заменил: Sic780 (Datasheet )
Одну микросхему требуется отразить по горизонтали и развернуть т.к. производители "смотрят" на нее с разных сторон.
После замены появляется генерация на всех 8 дросселях но на 3-ем и 4-ом генерация отличается. Если на остальных форма сигнала совпадает и можно сказать что происходит смещение сигнала от фазы к фазе, то на 3-ем дросселе творится черт знает что. Сигнал очень слабый и более высокочастотный чем на "живых" микросхемах Renesas 20658B. На 4-ом дросселе сигнал почти такой же как на остальных, только добавлен еще один всплеск в него.
Карта не стартует, но чип греется (сопротивление чипа 4.7 Ом)
Вопрос: по какой причине может так сильно меняться форма сигнала если вся обработка этого сигнала происходит внутри микросхемы каждой их фаз?
Второй вопрос: Почему на 4-ой микросхеме имеется дополнительный всплеск? Является ли это показателем что ее тоже надо заменить?
фотографии прикладываю ниже. Синим отмечено место замера сигнала.
Вложения
Последнее редактирование:
