Во-первых, не я придумал термопрофиль, а инженеры которые и разрабатывали данные чипы. Причем для некоторых чипов свой термопрофиль должен отрабатываться (например процессоры Haswell, которые гнет безбожно без правильного термопрофиля). И во всех термопрофилях без исключения четко оговорены все температуры: температура нижнего излучателя, температура верхнего излучателя, температура возле чипа, температура нижней части платы, верхней и т.п. Но мы народ простой и нам достаточно правильно настроенной станции, и измерения температуры в максимальной близости к чипу. Отсюда вытекает...
Во-вторых, если мы измеряем Т. в максимальной близости к чипу, то нам без разницы чем греть, низом, верхом, да хоть лампой паяльной! Пока мы не достигнем Т. текстолита в максимальной близости к чипу близкой к Т. плавления припоя, мы не снимем чип. Ну вы сами подумайте, если Т. окружающего, твердого материала (в данном случае текстолита) в максимальной близости к чипу будет равна 200°С то как может быть Т. под чипом больше? Даже если низ кочегарить по-полной. Ну ведь абсурд же.
Даже самый простой пример: мы хотим прожечь горелкой лист стали. Ставим термодатчик около места где мы будем прожигать (предположим что термодатчик выдержит данные Т.). Так вот пока мы не достигнем Т. плавления стали в этом месте, и пока нам термодатчик не покажет Т. плавления, мы можем хоть 10 горелок использовать, сверху, снизу, сбоку-металл плавиться не будет.
Я не хвастаюсь, но просто поверьте что теория ИК излучения мною проштудирована и понята. И закон Стефана-Больцмана, "темное" излучение и др. термины для меня не пустой звук. Мною были сделаны аж три ПС. Начинал с галогенов, потом керамика и остановился я на ик на кварцевых трубках. Проведены десятки (не преувеличение) экспериментов, в процессе было сожжено плат пять (жена чуть не убила из-за вони горелого текстолита), зато теперь хоть на диммерах и ЛАТРах могу паять.
А что касается темы, то у меня для пайки маленьких плат сделан нижний подогрев на ИК излучателе размером 123х123мм,
. Т. "рулит" REX C-100. Могу сделать фото. Экспериментальным путем выяснено, что при Т. на трубках примерно 430°С-450°С на плате около 180°С (именно столько рекомендуется для большинства термопрофилей на безсвинце), этого достаточно что б при Т. фена в 280°С (в китайских попугаях, хотя фен откалиброван мною), после примерно 10 сек. воздействия воздухом снимался любой по размерам ЦПУ. Ну и садим на свинцовых шарах при разогреве платы до 150°С, а воздух 250°С, 10 сек и чип устраивается поудобнее на шарах.
P.S. все что написал относится только к ИК и керамическим излучателям и только для моего оборудования.