Открытие порта...OK
Подключение к RIFF Боксу...OK
Версия Прошивки: 1.32, Версия JTAG Manager: 1.42
Выбран Ресурректор: [Samsung N7000 AP V1.0.4458.16492]
Подключение к мертвому телу...OK
Обнаружено устройство с ID: 0x4BA00477 - ПРАВИЛЬНО!
Выставленное I/O Напряжение 2.79В, Частота TCK: 10 MHz
Процедура восстановления начата.
Установка соединения с устройством...OK
Инициализация внутренней конфигурации устройства...OK
Загрузка ресурректора в оперативную память...OK
Установка коммуницации с ресурректором...OK
Обнаружена и проинициализирована FLASH1 микросхема, ID: 0x0015/0x0001 (VYL00M, 0x0003AB400000 Bytes = 14.68 GB)
Обнаружена и проинициализирована FLASH2 микросхема, ID: 0x0015/0x0001 (VYL00M, 0x000000080000 Bytes = 0.50 MB)
Флеширование мертвого тела...
ВНИМАНИЕ: Ошибка записи (0x25) по адресу 0x000000000000 обработана методом обрезки.
ОШИБКА: Код ошибки от DCC лоадера = 0x3E (0x007FFF <> 0x010000)
Что можно сделать??? Как восстановить?
Подключение к RIFF Боксу...OK
Версия Прошивки: 1.32, Версия JTAG Manager: 1.42
Выбран Ресурректор: [Samsung N7000 AP V1.0.4458.16492]
Подключение к мертвому телу...OK
Обнаружено устройство с ID: 0x4BA00477 - ПРАВИЛЬНО!
Выставленное I/O Напряжение 2.79В, Частота TCK: 10 MHz
Процедура восстановления начата.
Установка соединения с устройством...OK
Инициализация внутренней конфигурации устройства...OK
Загрузка ресурректора в оперативную память...OK
Установка коммуницации с ресурректором...OK
Обнаружена и проинициализирована FLASH1 микросхема, ID: 0x0015/0x0001 (VYL00M, 0x0003AB400000 Bytes = 14.68 GB)
Обнаружена и проинициализирована FLASH2 микросхема, ID: 0x0015/0x0001 (VYL00M, 0x000000080000 Bytes = 0.50 MB)
Флеширование мертвого тела...
ВНИМАНИЕ: Ошибка записи (0x25) по адресу 0x000000000000 обработана методом обрезки.
ОШИБКА: Код ошибки от DCC лоадера = 0x3E (0x007FFF <> 0x010000)
Что можно сделать??? Как восстановить?